Huawei está desarrollando una fábrica propia de memoria DRAM en asociación con la empresa china SwaySure y el respaldo del gobierno local, con el objetivo de asegurar el suministro de memoria para sus chips de inteligencia artificial (IA). Esta iniciativa podría impactar la economía global de la memoria RAM, aunque su propósito principal es garantizar la disponibilidad de memoria de alto ancho de banda (HBM) para sus aceleradores AI.
Por qué importa: La escasez y el alto costo de la memoria DRAM, impulsados por la demanda de infraestructura de IA, han elevado los precios globales, y Huawei busca evitar restricciones de suministro mediante producción propia.
Lo esencial
- Huawei y SwaySure planean una planta de producción de DRAM con tecnología de 28 nm y capacidad para 140,000 obleas mensuales.
- El proyecto está respaldado por el gobierno municipal de Shenzhen y busca asegurar memoria HBM para chips AI de Huawei.
- La iniciativa responde a las restricciones de exportación de EE. UU. que limitan el acceso de Huawei a memoria HBM de fabricantes como Samsung y SK Hynix.

Producción de DRAM en China con tecnología de 28 nm
La fábrica en desarrollo utilizará obleas de 12 pulgadas y un proceso de fabricación de 28 nanómetros, enfocado principalmente en memoria DRAM. SwaySure, empresa registrada en Shenzhen en 2022 y con apoyo gubernamental, ya opera una línea de producción que podría alcanzar una capacidad de 140,000 obleas al mes. Aunque Huawei ha negado operar directamente esta red de fábricas, la colaboración con SwaySure sugiere una estrategia para fortalecer su ecosistema semiconductor doméstico.



